[发明专利]无需MOS管的自旋轨道矩磁性随机存储器在审
| 申请号： | 202011312327.4 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN112420096A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 薛晓勇;陈德扬;方晋北;赵晨阳;张洵铭;杨何勇 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于存储器技术领域，具体为一种无需MOS管的自旋轨道矩磁性随机存储器。本发明存储器存储单元包括：一个重金属导电层、一个磁阻元件、一组双向二极管和一个二极管；磁阻元件为三层结构，分别是磁化方向固定的磁性材料层、非磁性材料层、磁化方向可变的磁性材料层；双向二极管由一组二极管并联反接组成，用于抑制写入通路上的双向潜行电流；二极管用于抑制读取通路上的潜行电流。本发明的自旋轨道矩磁性随机存储器省去了传统方案中控制读写操作的两个MOS管，有效减小自旋轨道矩磁性随机存储器的面积代价，简化其控制逻辑。另外，由于存储单元电路仅由磁性隧道结与二极管组成，它还适合于3D集成，符合后摩尔定律时代的技术发展趋势。 | ||
| 搜索关键词： | 无需 mos 自旋 轨道 磁性 随机 存储器 | ||
【主权项】：
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