[发明专利]一种半导体材料复介电函数确定方法在审
| 申请号： | 202011304234.7 | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN112304895A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 徐亚东;杨文慧;孙啟皓;程渊博;张滨滨 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | G01N21/3586 | 分类号： | G01N21/3586;G01N21/3563;G01N21/41;G01R27/26 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体材料复介电函数确定方法，首先根据参考信号(空气)和待测半导体的THz‑TDS确定待测半导体的近似复折射率，并进一步评估待测半导体对太赫兹(THz)吸收的强弱。当吸收较弱时，待测半导体的近似复折射率即为理论复折射率；当吸收较强时，通过建立理论复传输函数和实验复传输函数的误差函数，并利用MATLAB中的全局优化函数GlobalSearch进行优化计算，确定使误差函数值最小的理论复折射率。最后，通过复折射率与复介电函数之间的转换关系确定待测半导体的复介电函数。该方法操作流程清晰，分析结果准确可靠，适用于确定各种在THz波段有透过性能的半导体材料的复介电函数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体材料 复介电 函数 确定 方法 | ||
【主权项】：
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