[发明专利]一种深台面型光电子器件及其电极光刻制备方法在审
| 申请号: | 202011302059.8 | 申请日: | 2020-11-19 |
| 公开(公告)号: | CN112466994A | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
| 发明(设计)人: | 张舟;刘媛媛;王肇中 | 申请(专利权)人: | 武汉光谷量子技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/102;G03F7/16;G03F7/42;G03F1/80 |
| 代理公司: | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人: | 孟欢 |
| 地址: | 430206 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | 本申请涉及一种深台面型光电子器件及其电极光刻制备方法,方法包括步骤:加工形成深台面刻蚀器件;在深台面刻蚀器件上匀涂第一层反转光刻胶,并进行第一次坚膜烘烤,使第一层反转光刻胶固化;在第一层反转光刻胶上匀涂第二层反转光刻胶,并进行第二次坚膜烘烤,以使所有光刻胶的厚度覆盖吸收区的侧壁;依次完成掩膜曝光、反转烘烤、泛曝光及显影工艺,形成碗状结构的光刻胶;依次进行金属生长沉积、金属lift‑off,得到电极光刻后的深台面型光电子器件。本申请提供的深台面型光电子器件的电极光刻制备方法,有效解决了因侧壁光刻胶覆盖不足导致器件短路失效的问题,同时改善了电极lift‑off工艺良率。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 台面 光电子 器件 及其 电极 光刻 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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