[发明专利]多晶硅材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202011293081.0 申请日: 2020-11-18
公开(公告)号: CN112410872A 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 傅光水;张磊磊;魏衍先 申请(专利权)人: 山东金韵能源技术有限公司
主分类号: C30B28/00 分类号: C30B28/00;C30B29/06;C30B31/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 255000 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明提供了一种多晶硅材料及其制备方法。该技术方案基于金属离子掺杂原理对多晶硅的组成成分进行复配,引入微量的CoCl2、Ag2CrO4、BaCl2O8等成分,并采用TiC、GaAs对晶体结构加以保护,同时优化了配方比例。在此基础上,给出了该多晶硅材料的制备方法,该方法以改良西门子法为基础,在制备SiHCl3的过程中加入四氯化锗、Bi(NO3)3、BaCl2O8,得到掺杂型三氯氢硅;而后进行冷凝除杂,并进一步掺杂CoCl2、Ag2CrO4、三硅酸镁;在还原工艺中将TiC、GaAs与三氯氢硅一同汽化后送入还原炉,随着晶体的生长,金属离子嵌合在晶格中,进而得到本发明多晶硅材料。该多晶硅材料的光电转换效率可达28%左右,同时使用寿命明显延长,具有突出的技术优势。
搜索关键词: 多晶 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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