[发明专利]MOCVD沉积物的清理装置有效
申请号: | 202011293027.6 | 申请日: | 2020-11-18 |
公开(公告)号: | CN112410755B | 公开(公告)日: | 2022-11-22 |
发明(设计)人: | 刘锋;韩晓翠;郑远志;陈向东 | 申请(专利权)人: | 马鞍山杰生半导体有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 北京华智则铭知识产权代理有限公司 11573 | 代理人: | 沈抗勇 |
地址: | 243000 安徽省马鞍*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及清理装置技术领域,且公开了MOCVD沉积物的清理装置,包括底座、反应腔和腔盖,反应腔固定设置于底座的上表面,腔盖设置于反应腔的顶部,底座的上表面中心处固定设有U型支撑板,U型支撑板的内部设有旋转板,旋转板的侧壁通过转轴转动设置于U型支撑板的内部,旋转板的上侧固定设有反应台,底座的上表面左侧固定设有第一U型块,第一U型块的内部通过第一轴销转动设置有气缸,气缸的活塞杆末端通过第二轴销转动设置有第二U型块,第二U型块固定设置于反应台的下表面左侧,反应台的上表面设有U型刮板。本发明便于将反应后的沉积物清理,降低了工作人员的劳动强度,且不会出现水汽、氧气等吸附在腔体的表面。 | ||
搜索关键词: | mocvd 沉积物 清理 装置 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的