[发明专利]覆铜氮化物陶瓷基板的制造方法在审
| 申请号： | 202011281671.1 | 申请日： | 2020-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN112271139A | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 杨晓战 | 申请（专利权）人： | 深圳思睿辰新材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/15 |
| 代理公司： | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人： | 彭涛 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及覆铜陶瓷基板技术领域，特别涉及覆铜氮化物陶瓷基板的制造方法，包括如下步骤：步骤S1，采用一种氮化物陶瓷基板，在所述氮化物陶瓷基板两侧表面分别进行钝化处理，分别形成一层钝化层结构；步骤S4，将带有预氧化面的铜箔与具有稳定钝化层结构的氮化物陶瓷基板在惰性气氛中进行DBC接合处理，形成覆铜氮化物陶瓷基板。与现有技术相比，本发明的覆铜氮化物陶瓷基板的制造方法可解决铜箔与氮化物陶瓷基板界面的气孔过多问题，气孔率可控制在5％以内，提高覆铜氮化物陶瓷基板的接合强度、热传导特性。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 陶瓷 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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