[发明专利]第一芯片与晶圆键合方法、芯片堆叠结构在审
| 申请号： | 202011281397.8 | 申请日： | 2020-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN112397377A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 占迪;刘天建;曾甜;郭万里 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L23/48 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种第一芯片与晶圆键合方法、芯片堆叠结构，包括：提供第一层第一芯片，第一芯片包括第一金属层；提供晶圆，所述晶圆包括第二金属层；将第一芯片与晶圆键合；形成绝缘层和开孔，所述绝缘层覆盖第一芯片周侧的晶圆或填充若干第一芯片在晶圆上的间隙；在第一芯片外围的绝缘层内形成开孔，互连结构位于开孔中，第一金属层、第二金属层和互连结构三者电连接，实现第一芯片与晶圆的电性连接。无需在第一芯片内部制作TSV，降低了第一芯片内部连线的设计难度，节省了第一芯片面积。无TSV结构，避免了衬底和TSV间的电性(如绝缘性、寄生电容等)问题，且不需考虑第一芯片厚度差异对通孔刻蚀的影响，降低了工艺难度。 | ||
| 搜索关键词： | 第一 芯片 晶圆键合 方法 堆叠 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司，未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011281397.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于液态金属的柔性抓手
- 下一篇：一种沉井下沉施工自动决策方法及系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
