[发明专利]一种高强高导电率的铝基导体及制备方法在审
| 申请号： | 202011280118.6 | 申请日： | 2020-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN112391561A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 陈小红;郭未椿;刘平;周洪雷;武家艳;方航;朱炎波;任钰鹏;张道乾 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | C22C21/00 | 分类号： | C22C21/00;C22C1/03;C22F1/04;H01B1/02;H01B13/00 |
| 代理公司： | 北京迎硕知识产权代理事务所(普通合伙) 11512 | 代理人： | 钱扬保;张群峰 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高强高导电率的铝基导体及制备方法，所述铝基导体包括如下质量百分比的物质组成：0.3‑0.5％的Fe,0‑0.1％的Si,0.1‑0.3％的Er，余量为Al和杂质。本发明通过深入研究，发现了各元素之间的作用机理，优选出Al‑Fe‑Si‑Er最佳组分配比范围，并结合熔炼和后处理工艺，最终得到综合性能优异的合金线材。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高强 导电 导体 制备 方法 | ||
【主权项】：
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