[发明专利]一种光泵浦半导体激光器芯片在审
| 申请号： | 202011263399.4 | 申请日： | 2020-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN112271549A | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 王红岩;李康;杨子宁;张曼;崔文达;韩凯;王俊;许晓军 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | H01S5/04 | 分类号： | H01S5/04;H01S5/34;H01S5/10;H01S5/024 |
| 代理公司： | 湖南企企卫知识产权代理有限公司 43257 | 代理人： | 任合明 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体激光器领域，具体涉及一种光泵浦半导体激光器芯片，至少包括半导体芯片有源区，有源区仅设置一组量子阱，该组量子阱包含1个或连续多个量子阱。本发明具有以下优点：本发明由于相邻量子阱之间的间隔较小，因此载流子可在相邻量子阱之间自由穿行，各阱中载流子可趋于均匀分布；仅设置一组量子阱使得垒区的厚度不再限定为周期性量子阱结构中相邻周期量子阱之间的半波长，可以设置的足够大，让泵浦光经过时能够被充分吸收；采用较少的量子个数使得各量子阱中载流子能在更低的泵浦功率密度下实现粒子数反转，这样就可得到较低阈值功率密度的OPSL；设置前置反射结构在增益区形成FB腔提高量子阱处的激光场强，使得OPSL芯片增益显著提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光泵浦 半导体激光器 芯片 | ||
【主权项】：
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