[发明专利]具有存取线控制的存储器阵列在审
| 申请号： | 202011239763.3 | 申请日： | 2020-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN112951293A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 李继云 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/4067 | 分类号： | G11C11/4067;G11C11/4063 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请针对具有存取线控制的存储器阵列。一种示范性设备包含存储器单元阵列。每个存储器单元包含存取装置。每个存取装置包含第一源极/漏极区域、第二源极/漏极区域以及与连接所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域的沟道相对的栅极。每个存取装置还包含存储节点。所述示范性设备还包含多条感测线，所述多条感测线耦合到所述存储器单元阵列中的不同相应的存储器单元的所述第一源极/漏极区域。所述示范性设备还包含多条存取线，其中每条存取线包含至少一个导电通路，所述至少一个导电通路形成于所述存取线与耦合到所述存取线的存取装置的源极/漏极区域之间。所述示范性设备还包含分路感测线，所述分路感测线耦合到形成有所述导电通路的附加存取装置。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 存取 控制 存储器 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
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