[发明专利]一种SiP材料及其制备方法和应用有效
申请号: | 202011239597.7 | 申请日: | 2020-11-09 |
公开(公告)号: | CN112588308B | 公开(公告)日: | 2023-03-28 |
发明(设计)人: | 王佳宏;杨环环;喻学锋;喻彬璐 | 申请(专利权)人: | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
主分类号: | B01J27/182 | 分类号: | B01J27/182;B01J27/185;B01J35/00;B01J37/02;B01J37/08;B01J37/18;B01J37/34;C01B3/04 |
代理公司: | 北京市诚辉律师事务所 11430 | 代理人: | 李玉娜 |
地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种SiP材料及其制备方法和应用,本发明通过化学气相输运法(CVT法)并引入改性剂,经过高温煅烧成功将P型半导体SiP变为N型半导体SiP,大大增强了材料光催化性能的活性和稳定性,该材料在光催化领域表现出优异的性能,为开发清洁能源和保护环境助力。 | ||
搜索关键词: | 一种 sip 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
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