[发明专利]对膜进行蚀刻的方法和等离子体处理装置

摘要

本发明提供对膜进行蚀刻的方法和等离子体处理装置。一个例示的实施方式的方法包括通过供给前体气体来在基片上形成前体层的步骤。基片具有膜，提供开口。方法还包括用来自从处理气体形成的等离子体的化学种来蚀刻膜的步骤。在蚀刻膜的步骤中，开口的深度增加，并且利用来自等离子体的化学种或其他化学种，由前体层形成保护区域。执行分别包含形成前体层的步骤和蚀刻膜的步骤的多个循环。至少一个循环所包含的蚀刻膜的步骤的执行过程中的基片的温度和至少一个其他循环所包含的蚀刻膜的步骤的执行过程中的基片的温度，被设定为彼此不同的温度。根据本发明，能够提供保护膜的侧壁面并且在形成于膜的开口的深度方向上控制该开口的宽度的技术。