[发明专利]一种LED紫光整面Al反射的发光器件在审
| 申请号： | 202011231367.6 | 申请日： | 2020-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN112366265A | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 河源市天和第三代半导体产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46 |
| 代理公司： | 广州容大知识产权代理事务所(普通合伙) 44326 | 代理人： | 潘素云 |
| 地址： | 517000 广东省河源市高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED紫光整面Al反射的发光器件，包含发光外延支撑基板、金属结构、发光外延结构和CVD透明介质层；金属结构包含导电层、反射层、欧姆接触层和键合层；反射层采用Al反射层，做整面的反射层；发光外延结构从上到下依次包括n型半导体层、发光层和p型半导体层；CVD透明介质层作为金属结构和发光外延结构的保护层；在n型半导体层上面镀上导电层，在p型半导体层下面镀上欧姆接触层，透明的欧姆接触层下面镀上整面的Al反射层，并通过键合层与基板键合在一块。本发明解决了Ag在紫外波段反射率低和Ag反射层面积较小等问题，在很大程度上提高了LED半导体器件光通量，而且杜绝了Ag迁移，导致芯片失效问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 紫光 al 反射 发光 器件 | ||
【主权项】：
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