[发明专利]一种射频电源的控制方法及装置在审
申请号: | 202011224405.5 | 申请日: | 2020-11-05 |
公开(公告)号: | CN112538619A | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙) |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/505;C23C16/24 |
代理公司: | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人: | 彭一波 |
地址: | 242074 安徽省宣城市宣城经*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本申请公开了一种射频电源的控制方法及装置,属于射频电源控制技术领域,获取第一工艺参数,并根据第一工艺参数选择工作模式;获取第二工艺参数,以判断每个射频电源是否为高功率激发:控制器控制射频电源进入第一激发工作状态或第二激发状态,并根据工作模式控制射频电源的工作;通过对不同射频电源的独立控制来满足在一次沉积工艺中对不同的基板沉积不同的膜层,或者在同一基板上沉积多层次的膜层,增强了工艺的灵活性和设备的通用性,提高了设备的利用率和产能。 | ||
搜索关键词: | 一种 射频 电源 控制 方法 装置 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的