[发明专利]阵列碳纳米管及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202011211391.3 | 申请日： | 2020-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN112520726A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 王敏;万远鑫;孔令涌;黄少真;任望保;余永龙 | 申请（专利权）人： | 深圳市德方纳米科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/158 | 分类号： | C01B32/158;C01B32/16;B82Y30/00;B82Y40/00;H01M4/62 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种阵列碳纳米管的制备方法，该制备方法包括：将载体、插层剂、活性组分源和溶剂混合均匀，干燥后得到催化剂前驱体；将催化剂前驱体进行煅烧，在煅烧过程中通入水蒸气，冷却后得到催化剂；将催化剂置于反应器中，通入保护气体和碳源，通过化学气相沉积得到阵列碳纳米管。该制备方法工艺简单，操作便捷，所得阵列碳纳米管具有较高的长径比和良好的导电性。本申请还提供了一种阵列碳纳米管。该阵列碳纳米管具有良好的导电性，将其应用在电极材料中能够提高电极材料的导电性。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 纳米 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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