[发明专利]降低浅沟槽隔离的高度差的制作方法有效
| 申请号： | 202011208973.6 | 申请日： | 2020-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN113611654B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 陈慧敏;顾颂;黄凯斌;谈文毅 | 申请（专利权）人： | 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 361101 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种降低浅沟槽隔离的高度差的制作方法，其包含提供一基底包含一周边电路区，周边电路区包含一P型晶体管区和一N型晶体管区，一第一浅沟槽隔离和一第三浅沟槽隔离分别位N型晶体管区和P型晶体管区，然后形成一第一掩模覆盖N型晶体管区，之后以第一掩模为掩模，在P型晶体管区内形成一N型阱区并且以第一掩模为掩模移除部分第三浅沟槽隔离，接续移除第一掩模，然后形成一第二掩模覆盖P型晶体管区，接着以第二掩模为掩模，在周边电路区内的N型晶体管区形成一P型阱区并且以第二掩模为掩模移除部分的第一浅沟槽隔离，然后移除第二掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 沟槽 隔离 高度 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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