[发明专利]用于半导体器件瞬态热测试的电压采集方法、装置、系统及介质在审
申请号: | 202011196305.6 | 申请日: | 2020-10-30 |
公开(公告)号: | CN114527317A | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
发明(设计)人: | 杨连乔;简毛亮;张弛;吴马佳奇;张建华 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | G01R19/25 | 分类号: | G01R19/25;G01R31/26 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 徐秋平 |
地址: | 200436*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种用于半导体器件瞬态热测试的电压采集方法、装置、系统及介质,所述半导体器件进入工作状态,其两端具有电压,等待开始所述瞬态热测试;用户根据所述半导体器件的实际电压值,在上位机中选择相应的参考电压值和电压量程;所述方法包括接收所述参考电压值及电压量程,据以生成所述实际电压值的取值范围;控制采集模块采集所述半导体器件的电压信号,且将实际电压值符合所述取值范围的电压信号加以存储,并传输至所述上位机。本发明的用于半导体器件瞬态热测试的电压采集方法、装置、系统及介质,实现了以不同的采样率对电压信号的采集,并且输入电压量程可变,通过指定参考电压和选择量程实现了高精度的采样。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体器件 瞬态 测试 电压 采集 方法 装置 系统 介质 | ||
【主权项】:
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