[发明专利]用于半导体器件瞬态热测试的电压采集方法、装置、系统及介质在审

专利信息
申请号: 202011196305.6 申请日: 2020-10-30
公开(公告)号: CN114527317A 公开(公告)日: 2022-05-24
发明(设计)人: 杨连乔;简毛亮;张弛;吴马佳奇;张建华 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: G01R19/25 分类号: G01R19/25;G01R31/26
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 徐秋平
地址: 200436*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种用于半导体器件瞬态热测试的电压采集方法、装置、系统及介质,所述半导体器件进入工作状态,其两端具有电压,等待开始所述瞬态热测试;用户根据所述半导体器件的实际电压值,在上位机中选择相应的参考电压值和电压量程;所述方法包括接收所述参考电压值及电压量程,据以生成所述实际电压值的取值范围;控制采集模块采集所述半导体器件的电压信号,且将实际电压值符合所述取值范围的电压信号加以存储,并传输至所述上位机。本发明的用于半导体器件瞬态热测试的电压采集方法、装置、系统及介质,实现了以不同的采样率对电压信号的采集,并且输入电压量程可变,通过指定参考电压和选择量程实现了高精度的采样。
搜索关键词: 用于 半导体器件 瞬态 测试 电压 采集 方法 装置 系统 介质
【主权项】:
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