[发明专利]立体集成阵列式整流二极管模组封装结构及方法在审
| 申请号： | 202011192070.3 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112420619A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 戴晨毅;木瑞强;林鹏荣;王勇;李金月;蔺建龙;张姗姗 | 申请（专利权）人： | 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/98 | 分类号： | H01L21/98;H01L21/60;H01L23/31;H01L25/07 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 胡健男 |
| 地址： | 100076 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明为立体集成阵列式整流二极管模组封装结构及方法，其主要选用高可靠陶瓷外壳及金属盖板为封装材料，首先在外壳基座内部通过芯片定位装置进行焊片及芯片高精度安装，通过焊接实现芯片与外壳基座焊接，再通过硅铝丝实现芯片与外壳互连连接，最后通过平行缝焊实现金属盖板与外壳密封封装。本发明方法的应用，实现了立体阵列式整流二极管封装，大大提高整流二极管应用范围，纳米银膏和平行缝焊多温度梯度焊接方式可以起到优良的散热以及高可靠气密性封装，拓宽了器件应用场景。 | ||
| 搜索关键词： | 立体 集成 阵列 整流二极管 模组 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
