[发明专利]一种兼具易失性与非易失性的CuxO忆阻器及其调控方法

摘要

本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种兼具易失性与非易失性的CuxO忆阻器及其调控方法，该包括自下而上堆叠的下电极层(4)、功能层(3)以及上电极层(1)，其中，功能层(3)为CuxO功能层，x满足1.8x2，功能层是沉积在绝缘层内的，具体是通过在绝缘层内刻蚀通孔，再沉积功能层使功能层接触下电极层；上电极层则沉积在功能层之上。本发明通过对忆阻器关键的结构、组成进行改进，以CuxO为功能层，1.8x2，化学配比接近Cu2O，能够得到兼备易失性与非易失性的CuxO忆阻器，该CuxO忆阻器基于Cu空位调制，可以通过简单的限制电流诱导Cu空位构建突触和导电丝，实现易失性和非易失性。