[发明专利]一种单晶太阳能电池片的扩散工艺

摘要

本发明涉及太阳能电池生产领域。一种单晶太阳能电池片的扩散工艺，将硅片进行制绒处理，装入扩散电阻炉；将扩散炉炉腔内的温度升高至第一设定温度，稳定后通入氮气和氧气进行氧化反应；将扩散炉炉腔内的温度设置成三种不同的温度，通入氧气、三氯氧磷和氮气，三次扩散；将扩散炉炉腔内的温度升高至第五设定温度，对磷原子进行高温推进。本发明主要对硅片进行三次扩散，分别制备出N11区、N+12区和N++13区PN结结构，并且还通过控制磷源的流量改变其最外层杂质磷的扩散浓度，形成重掺杂的N++13区，与其正电极形成较为理想的欧姆接触，从而使得短路电流增大。