[发明专利]一种单晶太阳能电池片的扩散工艺

权利要求书

1.一种单晶太阳能电池片的扩散工艺，其特征在于：包括如下步骤

步骤一、将放置有硅片的石英舟载体放入扩散炉中，通入氮气对炉腔内部进行清洗，防止空气中的灰层和杂质气体影响扩散工艺的结果；

步骤二、将扩散炉腔内的温度升高至第一设定温度即780 ℃，继续通入氮气，再次对炉腔内部进行清洗；

步骤三、将扩散炉炉腔内温度保持在第一温度，并向炉内通入氮气和氧气，开始对硅片进行氧化反应，反应时间590 – 620 s；

步骤四、将扩散炉炉腔内的温度升高至第二设定温度即795 – 815 ℃，并保持第二设定温度，通入氧气、三氯氧磷和氮气，进行第一次扩散反应，反应时间200 – 350 s，压力保持100 – 120 mbar；

步骤五、将扩散炉炉腔内的温度降低15 ℃至第三设定温度即780 – 800 ℃，并保持第三设定温度，通入氧气、三氯氧磷和氮气，进行第二次扩散反应，反应时间200 – 350 s，压力保持100 – 120 mbar s；

步骤六、将扩散炉炉腔内的温度降低15 ℃至第四设定温度即765 – 785 ℃，并保持第四设定温度，通入氧气、三氯氧磷和氮气，进行第三次扩散反应，反应时间200 – 350 s，压力保持100 – 120 mbar s；

步骤七、将扩散炉炉腔内的温度升高115℃至第五设定温度即880 – 900 ℃，并保持第五设定温度，通入氮气，对磷原子进行高温推进，高温推进时间为1600 – 1800 s ，压力保持100 – 120 mbar；

步骤八、对扩散炉炉腔进行降温即降温到750℃，通入氧气和氮气，进行氧化反应；

步骤九、出炉。

2.根据权利要求1所述的一种单晶太阳能电池片的扩散工艺，其特征在于：升温和降温的速度均为0.18 – 0.22 ℃/S。

3.根据权利要求1所述的一种单晶太阳能电池片的扩散工艺，其特征在于：步骤三中氧气的流量为590 – 650 ml/min，步骤四-步骤六氧气的通入量均为710–730ml/min。

4.根据权利要求1所述的一种单晶太阳能电池片的扩散工艺，其特征在于：步骤四三氯氧磷的流量为700 – 850 ml/min，步骤五三氯氧磷的流量为650 – 750 ml/min，上述步骤六三氯氧磷的流量为550 – 650ml/min，步骤四– 步骤六磷源的流量均逐渐降低，其目的主要减少硅表面磷原子的掺杂浓度，有效避免磷源的浪费，降低扩散工艺成本。

5.根据权利要求1所述的一种单晶太阳能电池片的扩散工艺，其特征在于：步骤一和步骤二中氮气流量为5000 sccm，步骤三中氮气流量为2000sccm，步骤四中氮气流量为1000-1100sccm，步骤五中氮气流量为900-1000sccm，步骤六中氮气流量为800-900sccm，步骤七中氮气流量为2000sccm，步骤八中氮气流量为2000sccm，步骤九中氮气流量为500sccm。