[发明专利]一种富含缺陷的钼掺杂硒化钴/纳米碳电催化剂及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202011180973.X | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112481653B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 侯阳;王淋;杨彬;雷乐成 | 申请（专利权）人： | 浙江大学衢州研究院;浙江大学 |
| 主分类号： | C25B11/054 | 分类号： | C25B11/054;C25B11/052;C25B11/091;C25B1/04 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 324000 浙江省衢*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及电催化剂技术领域，公开一种富含缺陷的钼掺杂硒化钴/纳米碳电催化剂及其制备方法和应用，其制备方法包括如下步骤：(1)将钴盐、钼酸盐溶解后加入2‑甲基咪唑溶液，搅拌混合、离心干燥获得钼掺杂的钴基金属有机框架的前驱体；(2)将前驱体与硒粉混合，研磨后煅烧得到钼掺杂硒化钴/纳米碳电催化剂；(3)将步骤(2)制备的催化剂热处理，得到所述富含缺陷的钼掺杂硒化钴/纳米碳电催化剂。得到的催化剂在碱性条件下对于电解水阴极析氢反应具有优异的电催化活性，且长期工作下仍具有较好稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 富含 缺陷 掺杂 硒化钴 纳米 催化剂 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学衢州研究院;浙江大学，未经浙江大学衢州研究院;浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011180973.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半自动弯脚机
- 下一篇：一种车辆身份识别方法、装置、系统、以及电子装置
