[发明专利]一种微纳米结构定点缺陷掺杂的方法及NV色心传感器在审
| 申请号： | 202011178199.9 | 申请日： | 2020-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN114426255A | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 王孟祺;王亚;孙浩宇;叶翔宇;余佩;刘航宇;王鹏飞;石发展;杜江峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于自对准工艺的微纳米结构定点缺陷掺杂的方法，包括：S1，在晶体衬底表面依次形成牺牲层、光刻胶层；S2，根据微纳米图形在光刻胶层光刻出掩模孔；S3，通过掩模孔对牺牲层各向同性刻蚀，将掩模孔图形放大至牺牲层；S4，对掩模孔下方裸露的晶体表面进行离子注入掺杂；S5，去除光刻胶层，沉积掩模材料；S6，去除牺牲层，牺牲层中微纳米放大图形转移为掩模材料图形；S7，对裸露晶体表面进行刻蚀，去除表面掩模材料并退火形成特定缺陷。本发明提供的方法基于自对准工艺，不需要对准的操作，精度高过程简单，不存在对准的误差。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 结构 定点 缺陷 掺杂 方法 nv 色心 传感器 | ||
【主权项】：
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