[发明专利]高长径比Si纳米线的制备方法有效

专利信息
申请号: 202011164575.9 申请日: 2020-10-27
公开(公告)号: CN112279255B 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 沈同德;杨婷婷;孙宝茹 申请(专利权)人: 燕山大学
主分类号: C01B33/021 分类号: C01B33/021;B82Y40/00
代理公司: 北京孚睿湾知识产权代理事务所(普通合伙) 11474 代理人: 葛凡
地址: 066004 河北省*** 国省代码: 河北;13
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种高长径比Si纳米线的制备方法,Si纳米线的长度大于0.5cm,不含其他杂质,长径比大于106,该方法包括原料纯Si粉放置工序,压力控制工序,升温工序,Si纳米线生长工序,降温工序,其中Si纳米线生长工序将真空管式炉从室温升温至1200~1300℃维持1.5~4.5小时,降温工序以低于5℃/min的降温速度从高温缓慢降温至1000℃,由此获得生长于石墨片上的Si纳米线。
搜索关键词: 长径 si 纳米 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于燕山大学,未经燕山大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011164575.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top