[发明专利]一种转移印刷集成的顶入射InGaAs探测器的制备方法有效
| 申请号： | 202011137301.0 | 申请日： | 2020-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN112366247B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 王宇轩;李冠宇;孔月婵;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0203;H01L31/0232;H01L31/105 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 陆烨 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种转移印刷集成的顶入射InGaAs探测器的制备方法，该方法通过在被集成的衬底上优先制备一层金属作为探测器的背反射层，同时该层金属也可作为探测器集成时的对准标记。本发明可以有效地提升集成的顶入射探测器的响应度：解决了传统顶入射探测器由于缺少光反射层导致探测效率低的问题，从而提升集成的探测器的工作性能。本发明有望推广至其他集成顶入射式III‑V族探测器的集成中，具有较好的通用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 转移 印刷 集成 入射 ingaas 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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