[发明专利]一种硫掺杂g-C3在审

专利信息
申请号: 202011124328.6 申请日: 2020-10-20
公开(公告)号: CN112201790A 公开(公告)日: 2021-01-08
发明(设计)人: 程信强;张兰兰 申请(专利权)人: 程信强
主分类号: H01M4/62 分类号: H01M4/62;H01M10/052;H01M10/42
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 314000 浙江省嘉兴市南湖区*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明属于锂硫电池技术领域,具体涉及一种硫掺杂g‑C3N4/α‑ZrP‑碳化ZIF‑8正极材料的制备方法及其应用。该制备方法的步骤包括:先用SBA‑15作模板剂,以三聚氰胺和尿素为原料制备介孔g‑C3N4;然后以硝酸锌、八水氧氯化锆、2‑甲基咪唑和磷酸为原料在g‑C3N4上负载碳化ZIF‑8和α‑ZrP纳米片,最后将硫单质掺杂进去制得正极材料。本发明制备的正极材料提升了锂硫电池的容量,避免了硫单质正极的体积膨胀大,降低了长链多硫化物造成穿梭效应。
搜索关键词: 一种 掺杂 base sub
【主权项】:
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