[发明专利]运用于多层式存储单元数组的编程与验证方法在审
| 申请号： | 202011122786.6 | 申请日： | 2020-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN114187951A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 陈英哲;古惟铭;孙文堂 | 申请（专利权）人： | 力旺电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 李芳华 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种多层式存储单元数组的编程与验证方法，该多层式存储单元数组包括：一第一列的多个存储单元，连接至一字线、一源极线、一抹除线以及多条位线，每一该存储单元在一编程周期时会被编程至一目标储存状态，该目标储存状态为X个储存状态其中之一，该编程与验证方法包括下列步骤：(a1)决定该第一列为一选定列，并设定A等于1；(a2)在该选定列中，除了到达该目标状态的存储单元以及坏存储单元之外，将其他存储单元编程至一第A储存状态；(a3)当A不等于X时，将A加1并回到步骤(a2)；以及(a4)当A等于X时，结束该编程周期；其中，在该步骤(a2)中，对选定列的该其他存储单元进行多次的写入动作以及多次的验证动作，直到该其他存储单元到达该第A储存状态为止。 | ||
| 搜索关键词： | 运用于 多层 存储 单元 数组 编程 验证 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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