[发明专利]GaAs基高功率半导体激光器腔面钝化处理方法及其钝化液

摘要

本发明公开了一种GaAs基高功率半导体激光器腔面钝化处理方法及其钝化液，将单质Se加入（NH4）2S溶液中搅拌均匀，配成Se的饱和溶液，然后将该饱和溶液与叔丁醇以体积比1:1配置成所述钝化液；其钝化方法为：将所述激光器作预清洗处理；将预清洗后的激光器于所述钝化液中进行钝化处理。本发明中采用含Se钝化液对激光器腔面钝化效果明显，可有效去除GaAs表面氧化成的同时获得更稳定的钝化效果。