[发明专利]仙人掌形貌偏铁酸镁纳米材料的制备方法及产品和应用在审
申请号: | 202011103964.0 | 申请日: | 2020-10-15 |
公开(公告)号: | CN112266024A | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 崔大祥;吴晓燕;林琳;王敬锋;徐少洪;陈超 | 申请(专利权)人: | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 |
主分类号: | C01G49/00 | 分类号: | C01G49/00;H01M4/485;H01M4/525;H01M10/054;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人: | 董梅 |
地址: | 201109 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种仙人掌形貌偏铁酸镁纳米材料的制备方法及其产品和应用,通过聚乙二醇定向诱导和强酸调控的水热法制备仙人掌形貌的偏铁酸镁纳米材料。该结构具有较大的比表面积和较好的导电性,进而可以提高材料的电化学性能,在5C倍率下其放电比容量为116 mAh/g。解决了在镁离子电池循环过程中比容量衰减相对较快电化学性能相对较差的问题。并且制备方法简单,工艺条件容易实现,能量消耗低,且制备无污染。 | ||
搜索关键词: | 仙人掌 形貌 偏铁酸镁 纳米 材料 制备 方法 产品 应用 | ||
【主权项】:
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