[发明专利]在[111]取向硅衬底上外延附生硒化镓(GaSe)的方法

摘要

本发明涉及在[111]取向硅衬底上外延附生GaSe的方法，其包括：‑选择[111]取向硅衬底的步骤，所述衬底由在斜切方向上切割硅棒(1)而产生，所述斜切方向是三个[11‑2]晶向之一，斜切角(α)小于或等于0.1°，所获得的衬底的表面形成邻位面(2)，邻位面(2)具有多个台面(21)和在两个台面(21)之间的至少一个台阶(22)；‑钝化步骤，其由在所述硅衬底的所述邻位面(2)上沉积镓和硒的原子双层以形成由硅‑镓‑硒(Si‑Ga‑Se)制成的钝化的邻位面(3)组成，所述钝化的邻位面具有多个钝化台面(31)和在两个钝化台面之间的至少一个钝化台阶(32)；‑通过在钝化的表面(3)上外延附生而形成二维GaSe层的步骤，所述形成步骤包括从每个钝化台阶(32)成核的步骤，和从成核步骤中获得的核(41)在所述钝化台面(31)上横向生长的步骤。本发明还涉及利用外延附生方法获得的结构。