[发明专利]鳍式光伏型硅基等离激元热载流子红外探测芯片及其制作方法有效
申请号: | 202011100898.1 | 申请日: | 2020-10-15 |
公开(公告)号: | CN112366244B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 冯波;陈宜方 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L31/108 | 分类号: | H01L31/108;H01L31/0216;H01L31/0232;H01L31/0352;H01L31/18;H01L27/144 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;陆尤 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属于光电探测技术领域,具体一种鳍式光伏型硅基等离激元热载流子红外探测芯片及其制作方法。本发明红外探测芯片包括SOI衬底、制作于SOI衬底顶层硅之内的像元阵列、制作于SOI衬底的底层硅中的信号读出电路以及制作于中间介质层内的通孔互连结构。每个单像元器件包括:金属电极、硅纳米线列阵、以及集成于纳米线上的鳍式构筑超表面,以此实现对红外辐射的完美吸收,并将吸收的光子转变成表面等离激元热载流子转移至半导体中,产生光伏信号,实现探测功能。本发明探测芯片采用三维集成工艺制造,将红外感知单元和信号处理单元垂直堆叠起来,层间利用通孔填充技术实现Z方向垂直互联,得到高密度、低功耗、超大阵列规模的单片式焦平面阵列探测芯片。 | ||
搜索关键词: | 鳍式光伏型硅基 离激元热 载流子 红外 探测 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的