[发明专利]一种具有类超晶格结构的选通管及其制备方法有效
| 申请号： | 202011100542.8 | 申请日： | 2020-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN112242487B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 童浩;王伦;王位国;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人： | 张宇娟 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有类超晶格结构的选通管及其制备方法，属于微纳米电子技术领域。选通管包括衬底以及依次层叠在衬底上的第一金属电极层、类超晶格层以及第二金属电极层，类超晶格层包括周期性交替层叠的n+1个第一子层和n个第二子层，第一子层的材料包括GeS或GeSe，第二子层的材料包括GeTe、ZnTe、AlTe、SiTe、BTe或CTe中的一种。由于GeS和GeSe材料均具有较高的稳定性，可以阻止由于高温导致的第二子层材料中的Te的扩散分离。同时，类超晶格结构各子层很薄，相邻阱之间的耦合很强，在类超晶格层中形成周期性的量子势阱，原来在各量子阱中的分立的能级扩展成为能带，可以减小带隙宽度，从而降低功耗，并且更好的与存储器件单元集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 晶格 结构 选通管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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