[发明专利]一种PVT法中碳化硅粉源的回收方法在审
| 申请号： | 202011090752.3 | 申请日： | 2020-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN112158845A | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/984 | 分类号： | C01B32/984;C01B32/215 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 曹徐婷 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种PVT法中碳化硅粉源的回收方法，属于晶体生长原料回收技术领域。为解决现有PVT法中碳化硅粉源无法回收再利用的问题，本发明提供了一种PVT法中碳化硅粉源的回收方法，首先通过静电分离将PVT法碳化硅晶体生长过程中产生的固体混合物废料中的富碳粉和石墨颗粒分离，向所得富碳粉中加入硅粉，反应得到碳化硅粉。与原有未经PVT法生长使用的碳化硅粉末比较，杂质含量几乎没有区别，甚至回收所得碳化硅粉的部分杂质含量更低，实现了碳化硅粉源的回收。本发明通过PVT法中碳化硅粉源的回收再利用降低了碳化硅晶体生长的原料成本，而分离出的石墨颗粒经过处理可作为碳化硅粉制备的原料，实现了分类回收利用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pvt 碳化硅 回收 方法 | ||
【主权项】：
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