[发明专利]一种功率MOS的被动快速关断电路在审

专利信息
申请号: 202011082104.3 申请日: 2020-10-12
公开(公告)号: CN114362731A 公开(公告)日: 2022-04-15
发明(设计)人: 张许峰 申请(专利权)人: 福州市瓦涵新能源科技有限公司
主分类号: H03K17/042 分类号: H03K17/042;H03K17/082;H03K17/687
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 350010 福*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开了一种功率MOS的被动快速关断电路,属于MOSFET驱动技术领域,包括:PWR电源;MOS晶体管Q1,PWR电源的驱动电压端V_PWR+与MOS晶体管Q1的输入端连接;快速泄放电路,其中,快速泄放电路包括:正反馈泄放电路,用以快速泄放MOS晶体管Q1的电容,正反馈泄放电路包括三极管Q2和三极管Q3,三极管Q2的集电极与三极管Q3的基极连接,三极管Q2的基极与三极管Q3的集电极连接,MOS晶体管Q1的G极与三极管Q2的发射极连接,三极管Q3的发射极与MOS晶体管Q1的S极连接;以及泄放电阻R1,为正反馈泄放电路启动提供初始偏置电流。本发明实现了不受Vgs电压高低而限制,在关断过程中都拥有快速泄放能力,同时拥有开启时低功耗,保护时快速泄放的优势的电路。
搜索关键词: 一种 功率 mos 被动 快速 断电
【主权项】:
暂无信息
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