[发明专利]一种解决晶圆测试中共衬底的情况下不能多site并测的方法有效
| 申请号： | 202011081499.5 | 申请日： | 2020-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN112201588B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 严六平 | 申请（专利权）人： | 南京宏泰半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 南京北辰联和知识产权代理有限公司 32350 | 代理人： | 王真 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市浦口区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种解决晶圆测试中共衬底的情况下不能多site并测的方法，涉及半导体测试应用技术领域；本发明在对不会产生影响的项目进行测试时，维持原先的多site并测方法；随后进入有影响的测试项目，从一个起始电平开始进行扫描cell状态翻转点，判断目前的扫描电平和起始电平的电压差是否已大于状态翻转造成的最大电压抖动值；如果已经大于最大电压抖动值，则开始启动下一个site的扫描工作；否则就判断当前cell的状态是否已经翻转，如果已经翻转则记录下此时的翻转电平，并停止此cell的扫描；如果cell未状态翻转，增加一个步长的扫描电压，进行下一轮的扫描；在后面的测试项目中，继续维持原先的多site并测方法，完成整个测试项目。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 解决 测试 中共 衬底 情况 不能 site 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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