[发明专利]一种室温纳米谷极化荧光的等离激元激发方法有效
| 申请号： | 202011078556.4 | 申请日： | 2020-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN114324438B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 方哲宇;郑立恒;刘志鑫;刘冬林 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G01N23/2254 | 分类号： | G01N23/2254 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种室温纳米谷极化荧光的等离激元激发方法，使无自旋注入的电子束激发可通过金属纳米结构支持的等离激元共振由能量转移的方式激发单层过渡金属硫族化合物(MTMDs)谷极化荧光，极大地降低了能谷自由度的使用尺度，通过电子束纳米尺度移动精确改变激发位置进而改变金属纳米结构电磁模式，实现对谷极化度的亚波长尺度操控。此方法可运用于谷赝自旋与金属等离激元耦合研究、谷极化荧光远场光学结构设计、谷电子器件集成，具有尺度小、灵敏度高、鲁棒性高等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 室温 纳米 极化 荧光 离激元 激发 方法 | ||
【主权项】：
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