[发明专利]基片处理装置和装置清洗方法在审
| 申请号： | 202011078492.8 | 申请日： | 2020-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN112687577A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 荒竹英将;黑田修;金川耕三 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供在进行批处理的基片处理装置中，能够抑制排液管路的堵塞的基片处理装置和装置清洗方法。本发明的基片处理装置包括：处理槽、承液部、承液部排出管、贮存部、第一液供给管、第二液供给管、释放管、第一液流量调节部和第二液流量调节部。承液部承接从处理槽洒出的处理液。承液部排出管从承液部排出处理液。第一液供给管供给清洗液的第一液，该清洗液含有第一液和第二液，用于除去来自处理液的析出物。第二液供给管供给第二液。释放管与第一液供给管和第二液供给管连接，向承液部释放清洗液、第一液或第二液。第一液流量调节部设置于第一液供给管，调节在第一液供给管中流动的第一液的流量。第二液流量调节部设置于第二液供给管，调节在第二液供给管中流动的第二液的流量。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 清洗 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
