[发明专利]鳍式场效应晶体管的截断工艺方法在审
| 申请号： | 202011069653.7 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN114334820A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 邱岩栈;陈颖儒;刘立尧;胡展源 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种鳍式场效应晶体管的截断工艺方法，包括步骤：步骤一、提供形成有多个鳍体和第一间隔区的半导体衬底，形成第一材料层将第一间隔区完全填充并延伸到鳍体的表面上方并形成平坦化的表面；步骤二、形成包括多个第一条形结构以及第二间隔区的第一图形结构；步骤三、在第一条形结构的侧面形成第二侧墙将第一条形结构两侧的鳍体顶部覆盖；步骤四、去除第一条形结构形成以第二侧墙形成的第二图形结构；步骤五、以第二侧墙为掩膜对第一材料层和鳍体进行刻蚀以实现鳍体的截断；步骤六、将第二侧墙和剩余的第一材料层都去除。本发明能降低对光刻机的光刻能力的要求，能在工艺节点缩小时仍然采用工艺节点较大时采用的光刻机进行曝光。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 截断 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
