[发明专利]一种晶圆蚀刻槽在审
申请号: | 202011059375.7 | 申请日: | 2020-09-30 |
公开(公告)号: | CN112185859A | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 赖情依 | 申请(专利权)人: | 赖情依 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 510000 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种晶圆蚀刻槽,其结构包括顶盖、蚀刻槽、控制按钮、机体,顶盖与机体的上端铰链连接,控制按钮与机体的前端活动卡合,蚀刻槽安装于机体的上表面位置,通过晶圆及其上表面的蚀刻液对承载块产生的压力,能够使承载块上的吸附盘受挤压在收缩板的配合下向下收缩,从而使密封块能够对吸附盘的中部进行密封,故而使吸附盘能够受挤压对晶圆的底部进行吸附,当储液腔外部的蚀刻液通过透液机构进入其内部时,通过外部的蚀刻液对联动板产生的挤压,能够使联动板与外管之间产生间隙,且通过外摆板自身的重力,能够在失去外管内壁的挤压下向外摆动,从而使外摆板能够配合阻挡块对外部的晶圆碎屑进行阻挡。 | ||
搜索关键词: | 一种 蚀刻 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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