[发明专利]带多层反射膜的基板、反射型掩模坯料、反射型掩模及制造方法、及半导体装置制造方法在审
| 申请号： | 202011059191.0 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112666788A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 铃木宏太;尾上贵弘 | 申请（专利权）人： | HOYA株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/24 | 分类号： | G03F1/24;G03F1/50;G03F1/54;G03F1/60;H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 杨薇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题在于提供用于制造具有对蚀刻气体的耐性高、相对于清洗的耐性高的保护膜的反射型掩模的带多层反射膜的基板。为此，本发明的带多层反射膜的基板具有基板、设置于该基板上的多层反射膜、以及设置于该多层反射膜上的保护膜，其中，上述保护膜含有钌(Ru)、并含有选自铝(Al)、钇(Y)、锆(Zr)、铑(Rh)及铪(Hf)中的至少一种添加材料，上述添加材料的含量为5原子％以上且小于50原子％。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 反射 型掩模 坯料 制造 方法 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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