[发明专利]一种高强度h-BN陶瓷的制备工艺在审
| 申请号： | 202011054362.0 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN114315372A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 温广武;孙志远;王桢 | 申请（专利权）人： | 山东硅纳新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/583 | 分类号： | C04B35/583;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 255400 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高强度h‑BN陶瓷的制备工艺，属于高温结构功能一体化陶瓷的技术领域。可适用于雷达的传递窗、天线罩材料、高温金属熔炼坩埚、热电偶保护管、散热片、核反应堆的结构材料等。六方氮化硼(h‑BN)是由硼原子和氮原子以共价键结合而成，具有类似于石墨的层状结构，有“白石墨”之称。BN是良好的绝缘体，热膨胀系数小，且抗震性很高的优点，还具有很高的化学稳定性和优异的热稳定性。本发明通过高温固相反应制备的高强度h‑BN陶瓷。制备方法简单，制备环境要求较低，可实现大规模产业化生产。实验制备的BN陶瓷性能优于传统工艺制备的BN陶瓷，能够达到高新技术领域的严格要求，具有更为广泛的用途。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 强度 bn 陶瓷 制备 工艺 | ||
【主权项】：
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