[发明专利]一种磁共振降噪耳机寿命测试方法及测试装置在审
| 申请号： | 202011052894.0 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112153550A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 孙一 | 申请（专利权）人： | 武汉中科医疗科技工业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H04R29/00 | 分类号： | H04R29/00;H04R1/10 |
| 代理公司： | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人： | 邹航 |
| 地址： | 430206 湖北省武汉市东湖新技*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磁共振降噪耳机寿命测试方法，包括如下步骤：S1，提供一待测试耳机，所述耳机至少包括上支撑杆和两个下支撑件，所述上支撑杆被配置成用于使用者的头佩戴的弯曲形状，两个所述下支撑件分别对应连接于所述上支撑杆的两端；S2，对所述待测试耳机进行温度预处理；S3，对所述待测试耳机进行拉伸试验；S4，对所述待测试耳机进行扭转试验；S5，对所述待测试耳机进行冲击试验；S6，以S2‑S5为一次阶段试验，重复若干次阶段试验，当所述待测试耳机出现裂纹或断裂时停止试验，该方法可最大化模拟耳机现场使用场景，可使耳机的寿命测试最大程度接近实际寿命，本发明还提供了一种测试装置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁共振 耳机 寿命 测试 方法 装置 | ||
【主权项】：
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