[发明专利]一种磁共振降噪耳机寿命测试方法及测试装置在审
申请号: | 202011052894.0 | 申请日: | 2020-09-29 |
公开(公告)号: | CN112153550A | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 孙一 | 申请(专利权)人: | 武汉中科医疗科技工业技术研究院有限公司 |
主分类号: | H04R29/00 | 分类号: | H04R29/00;H04R1/10 |
代理公司: | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人: | 邹航 |
地址: | 430206 湖北省武汉市东湖新技*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 磁共振 耳机 寿命 测试 方法 装置 | ||
1.一种磁共振降噪耳机寿命测试方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1,提供一待测试耳机,所述耳机至少包括上支撑杆和两个下支撑件,所述上支撑杆被配置成用于使用者的头佩戴的弯曲形状,两个所述下支撑件分别对应连接于所述上支撑杆的两端;
S2,对所述待测试耳机进行温度预处理;
S3,对所述待测试耳机进行拉伸试验;
S4,对所述待测试耳机进行扭转试验;
S5,对所述待测试耳机进行冲击试验;
S6,以S2-S5为一次阶段试验,重复若干次阶段试验,当所述待测试耳机出现裂纹或断裂时停止试验。
2.根据权利要求1所述的磁共振降噪耳机寿命测试方法,其特征在于,步骤S2包括:
S21,以一初始温度T0为温循起点,在升温速率v1下升温至第一温度T1,并保持一定时间t1;
S22,在降温速率v2下降温至第二温度T2,并保持一定时间t2,其中,T0T2;
S23,在升温速率v1下升温至第一温度T0;
S24,以S21-S23为一次温度循环,并重复若干次所述温度循环。
3.根据权利要求2所述的磁共振降噪耳机寿命测试方法,其特征在于,T0为25℃,T1为40℃,T2为5℃,V1为1K/min,t1和t2均为8h。
4.根据权利要求1所述的磁共振降噪耳机寿命测试方法,步骤S3包括:
S31,分别夹持两个所述下支撑件,使所述待测试耳机处于拉伸初始位置;
S32,固定其中一个下支撑件,斜向拉伸所述待测试耳机至拉伸设定位置并驻停;
S33,将所述待测试耳机恢复至拉伸初始位置并驻停;
S34,以S31-S33为一次拉伸循环,并重复若干次所述拉伸循环。
5.根据权利要求4所述的磁共振降噪耳机寿命测试方法,其中,斜向拉伸过程中所述上支撑杆和两个所述下支撑件的轴线始终处于同一平面上且两个所述下支撑件的夹角变大。
6.根据权利要求1所述的磁共振降噪耳机寿命测试方法,步骤S4包括:
S41,分别夹持两个所述下支撑件,使所述待测试耳机处于扭转初始位置,此时两个所述下支撑件平行设置,且所述上支撑杆和两个所述下支撑件的轴线位于同一平面上;
S42,固定其中一个下支撑件,向一侧扭转待测试耳机至扭转设定位置并驻停;
S43,将所述待测试耳机恢复至扭转初始位置并驻停;
S44,向对称侧扭转所述待测试耳机至扭转设定位置并驻停;
S45,将所述待测试耳机恢复至扭转初始位置并驻停;
S46,以S41-S45为一次扭转循环,并重复若干次所述扭转循环。
7.根据权利要求6所述的磁共振降噪耳机寿命测试方法,其特征在于,扭转过程中两个所述下支撑件始终保持平行且两个所述下支撑件的端面垂直距离变大。
8.根据权利要求1所述的磁共振降噪耳机寿命测试方法,其特征在于,步骤S5包括:
S51,对所述待测试耳机进行自由跌落试验;
S52,对所述待测试耳机进行自由敲击试验。
9.根据权利要求8所述的磁共振降噪耳机寿命测试方法,其特征在于,步骤S51包括:
S511,选定所述待测试耳机的六个跌落方向;
S512,将所述待测试耳机按每一跌落方向从设定高度处自由跌落至木质地面;
S513,以S511-S512为一次自由跌落循环,并重复若干次所述自由跌落循环。
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