[发明专利]一种磁共振降噪耳机寿命测试方法及测试装置在审
申请号: | 202011052894.0 | 申请日: | 2020-09-29 |
公开(公告)号: | CN112153550A | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 孙一 | 申请(专利权)人: | 武汉中科医疗科技工业技术研究院有限公司 |
主分类号: | H04R29/00 | 分类号: | H04R29/00;H04R1/10 |
代理公司: | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人: | 邹航 |
地址: | 430206 湖北省武汉市东湖新技*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 磁共振 耳机 寿命 测试 方法 装置 | ||
本发明涉及一种磁共振降噪耳机寿命测试方法,包括如下步骤:S1,提供一待测试耳机,所述耳机至少包括上支撑杆和两个下支撑件,所述上支撑杆被配置成用于使用者的头佩戴的弯曲形状,两个所述下支撑件分别对应连接于所述上支撑杆的两端;S2,对所述待测试耳机进行温度预处理;S3,对所述待测试耳机进行拉伸试验;S4,对所述待测试耳机进行扭转试验;S5,对所述待测试耳机进行冲击试验;S6,以S2‑S5为一次阶段试验,重复若干次阶段试验,当所述待测试耳机出现裂纹或断裂时停止试验,该方法可最大化模拟耳机现场使用场景,可使耳机的寿命测试最大程度接近实际寿命,本发明还提供了一种测试装置。
技术领域
本发明涉及磁共振降噪耳机寿命测试技术领域,尤其涉及一种磁共振降噪耳机寿命测试方法及耳机测试装置。
背景技术
在核磁共振检查中,检查时会产生较大的噪音,该巨大的噪音是检查设备中梯度磁场线圈中的电流高速开关造成的。核磁共振时,为了产生梯度磁场(对成像对象内部的质子进行定位),线圈中需要通过电流,由于线圈本身处于磁场中,所以一旦通电后线圈就会受力(洛伦兹力,原理和电动机一模一样),而MRI的工作要求这些线圈中的电流以极高的速度(临床用的sequence通常几十毫秒到上百毫秒一个周期,意味着一秒钟要开关几十次)开启和关闭,因此会造成线圈的高频振动,该高频振动便使患者感受到巨大的噪音。而噪音过大,则容易使患者脑部出现异常的激活区,影响检查者及临床医生对治疗或科研行为的判断,因此,为提高检查精确性,应尽量降低核磁共振检查过程中产生的噪音,所以出现了专门用于核磁共振的磁共振降噪耳机。
磁共振降噪耳机寿命测试是耳机的生产过程中必要的测试流程,其测试数据一般直接反应了影响耳机使用寿命长短的诸多因素,能有效帮助使用者合理使用耳机。
现有磁共振降噪耳机寿命测试方法大多采用单一测试,仅拉伸,或者扭转,不能很好的模拟耳机实际使时复杂的使用环境,因此,不能准确测试耳机的实际寿命。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种磁共振降噪耳机寿命测试方法及测试装置,用以解决现有技术中磁共振降噪耳机寿命测试方法单一,模拟所受应力单一,无法真实测试出耳机的实际寿命的问题。
本发明提供一种磁共振降噪耳机寿命测试方法,包括如下步骤:
S1,提供一待测试耳机,所述耳机至少包括上支撑杆和两个下支撑件,所述上支撑杆被配置成用于使用者的头佩戴的弯曲形状,两个所述下支撑件分别对应连接于所述上支撑杆的两端;
S2,对所述待测试耳机进行温度预处理;
S3,对所述待测试耳机进行拉伸试验;
S4,对所述待测试耳机进行扭转试验;
S5,对所述待测试耳机进行冲击试验;
S6,以S2-S5为一次阶段试验,重复若干次阶段试验,当所述待测试耳机出现裂纹或断裂时停止试验。
进一步的,步骤S2包括:
S21,以一初始温度T0为温循起点,在升温速率v1下升温至第一温度T1,并保持一定时间t1;
S22,在降温速率v2下降温至第二温度T2,并保持一定时间t2,其中,T0T2;
S23,在升温速率v1下升温至第一温度T0;
S24,以S21-S23为一次温度循环,并重复若干次所述温度循环。
3.根据权利要求2所述的磁共振降噪耳机寿命测试方法,其特征在于,T0为25℃,T1为40℃,T2为5℃,V1为1K/min,t1和t2均为8h。
进一步的,步骤S3包括:
S31,分别夹持两个所述下支撑件,使所述待测试耳机处于拉伸初始位置;
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