[发明专利]二次生长法制备高镍三元正极材料的方法有效
| 申请号： | 202011051779.1 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112142125B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 魏东;张敬捧 | 申请（专利权）人： | 山东精工电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C01G53/00 | 分类号： | C01G53/00;H01M4/505;H01M4/525;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 崔振旺 |
| 地址： | 277800 山东省枣庄市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种二次生长法制备高镍三元正极材料的方法，首先通过共沉淀法制备8‑10um粒径三元前驱体Ni |
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| 搜索关键词： | 次生 长法 制备 三元 正极 材料 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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