[发明专利]一种高纯高致密碳化硅陶瓷及其制造方法在审
| 申请号： | 202011051209.2 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112159232A | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 闫永杰 | 申请（专利权）人： | 南通三责精密陶瓷有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/573 | 分类号： | C04B35/573;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 宋玲玲 |
| 地址： | 226000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高纯高致密碳化硅陶瓷及其制造方法，采用不同粒度的碳化硅陶瓷粉体为主要原料，利用石墨粉和纳米炭黑为结合剂，树脂为粘结剂，采用喷雾造粒工艺均匀混合，通过干压成型、等静压成型或者浇注成型等多种成型方法得到陶瓷素胚，坯体经过干燥、固化后，采用第一次高温纯化热处理，第二次反应渗硅热处理，最后经过表面处理，获得高纯高致密碳化硅陶瓷。采用该工艺制造的碳化硅陶瓷纯度高，各种金属杂质含量低于200ppm，材料的致密度达99％以上，能够广泛应用于纯度和强度要求高的光伏、LED或者半导体应用领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 致密 碳化硅 陶瓷 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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