[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202011048906.2 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112582001A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 杨智铨;林士豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/417 | 分类号： | G11C11/417;G11C11/419;G11C11/413;G11C11/41 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，一种半导体器件包括：偏置源；包括与偏置源相邻的第一区域和远离偏置源的第二区域的存储器单元阵列；以及电耦合至偏置源、第一区域中的第一存储器单元和在第二区域中的第二存储器单元的导线。第一存储器单元表征为第一阿尔法比率，第二存储器单元表征为小于第一阿尔法比率的第二阿尔法比率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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