[发明专利]低杂质AlV55合金的制备方法在审
| 申请号： | 202011039865.0 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112080660A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 尹丹凤;陈海军;高雷章;师启华 | 申请（专利权）人： | 攀钢集团研究院有限公司 |
| 主分类号： | C22C1/03 | 分类号： | C22C1/03;C22C27/02;C22B5/04;C22B34/22 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人： | 张小丽 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明属于冶金领域，特别涉及一种低杂质AlV55合金的制备方法。本发明所要解决的技术问题是提供一种低杂质AlV55合金的制备方法，包括以下步骤：A、将高纯V |
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| 搜索关键词： | 杂质 alv55 合金 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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