[发明专利]低杂质AlV55合金的制备方法在审
| 申请号： | 202011039865.0 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112080660A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 尹丹凤;陈海军;高雷章;师启华 | 申请（专利权）人： | 攀钢集团研究院有限公司 |
| 主分类号： | C22C1/03 | 分类号： | C22C1/03;C22C27/02;C22B5/04;C22B34/22 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人： | 张小丽 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 杂质 alv55 合金 制备 方法 | ||
1.低杂质AlV55合金的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
A、将高纯V2O5、高纯金属Al和高纯CaO按质量比1﹕0.771～0.824﹕0.201～0.254混合均匀，然后用点火剂引发进行铝热反应，铝热反应结束后保温，冷却后将合金破碎；
B、取破碎后的合金与高纯金属Al按质量比1﹕0.189～0.264混合均匀，在惰性气氛下精炼，得到低杂质AlV55合金。
2.根据权利要求1所述的低杂质AlV55合金的制备方法，其特征在于：步骤A中，所述高纯V2O5纯度≥99.5％，其中Fe≤0.008％，Si≤0.008％，C≤0.005％；所述高纯金属Al纯度≥99.7％，其中Fe≤0.008％，Si≤0.008％，C≤0.005％；所述高纯CaO纯度≥99.5％，其中Fe≤0.15％，Si≤0.15％，C≤0.08％。
3.根据权利要求1或2所述的低杂质AlV55合金的制备方法，其特征在于：步骤A中，所述高纯V2O5粒度120～200目；所述高纯金属Al粒度≤3mm；所述高纯CaO粒度120～200目。
4.根据权利要求1～3任一项所述的低杂质AlV55合金的制备方法，其特征在于：步骤A中，所述点火剂为高纯钛粉；进一步的，所述高纯钛粉纯度≥99.5％；粒度≤160目。
5.根据权利要求1～4任一项所述的低杂质AlV55合金的制备方法，其特征在于：步骤A中，所述保温为加保温盖保温；进一步保温时间1～2h。
6.根据权利要求1～5任一项所述的低杂质AlV55合金的制备方法，其特征在于：步骤A中，所述合金破碎粒度≤10mm。
7.根据权利要求1～6任一项所述的低杂质AlV55合金的制备方法，其特征在于：步骤B中，所述高纯金属Al纯度≥99.7％，其中Fe≤0.008％，Si≤0.008％，C≤0.005％；进一步的，所述高纯金属Al的粒度为1～3mm。
8.根据权利要求1～7任一项所述的低杂质AlV55合金的制备方法，其特征在于：步骤B中，所述惰性气氛为氩气。
9.根据权利要求1～8任一项所述的低杂质AlV55合金的制备方法，其特征在于：步骤B中，先用惰性气体置换炉内气体，然后充入惰性气体保证炉内气压为0.08～0.09MPa。
10.根据权利要求1～9任一项所述的低杂质AlV55合金的制备方法，其特征在于：步骤B中，所述精炼温度为控制过热度30～50℃；精炼时间为3～5min。
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