[发明专利]一种Clip结构TO-220封装的MOSFET及其制造方法在审
| 申请号： | 202011035819.3 | 申请日： | 2020-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112086367A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 吴雷;夏华秋;黄传伟;谈益民;吕文生 | 申请（专利权）人： | 江苏东海半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/495 |
| 代理公司： | 广东有知猫知识产权代理有限公司 44681 | 代理人： | 闫日旭 |
| 地址： | 214142 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率器件技术领域，具体涉及一种Clip结构TO‑220封装的MOSFET及其制造方法，旨在解决现有技术中封装容易产生连线上浮和焊点断裂等现象形成的问题，其技术要点在于：所述Clip结构TO‑220封装的MOSFET的制造方法包含以下步骤，S5：对已经完成芯片加工流程的晶圆衬底进行蓝膜贴片、分割、清洗及烘干工艺，以形成芯片，再将完成切割工艺的裸片吸附放置在已有焊膏的TO‑220的引线框上，然后进行焊接材料的固化；S6：将焊膏点在晶粒上的栅极及源极区域，通过吸附铜Clip并将其放置在栅极及源极相应的位置上，放入高温焊接炉中，以将芯片表面金属能够与焊接材料之间粘结。本申请所提供的Clip结构TO‑220封装的MOSFET及其制造方法，其减少连线上浮和焊点断裂问题，同时提高产品可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 clip 结构 to 220 封装 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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